英伟达H100AIGPU利润高达1000%

2023-08-19 15:24:31 来源：面包芯语

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

【资料图】

根据《巴伦周刊》资深撰稿人Tae Kim最近在社交媒体上发布的帖子估计，英伟达每销售一个H100 GPU加速器就能获得高达1000%的利润。以美元计算，这意味着英伟达的每个高性能计算（HPC）加速器（最便宜的PCIe版本）的市场价格约为2.5万至3万美元，远远超过每个芯片和外围（板内）组件的3320美元估计成本。

Tae Kim表示，金融咨询公司Raymond James估计每个H100芯片成本为3320美元。然而，目前尚不清楚BoM（物料清单）成本分析有多深入：如果这是纯粹的制造成本问题（在考虑良率的情况下平均每片晶圆和其他组件的价格），那么英伟达仍然需要支付相当大的销售费用。

据tomshardware报道，产品开发需要时间和资源，考虑到H100等产品的产品开发生命周期中的工程师和其他参与者，在计算每款平均产品开发成本之前也必须考虑到英伟达的研发成本。据Glassdoor称，英伟达电子硬件工程师的平均年薪约为20.2万美元，这还只是单个人，开发像H100这样的芯片很可能需要多名专业工作者的数千小时的投入。所有这些也必须被考虑进去。

即便如此，不可否认的是，作为人工智能加速工作负载的领先公司是有优势的。众所周知，英伟达GPU几乎是脱销的，甚至不太需要了解它们摆放在机架上的情况。在AI HPC热潮推动下，英伟达人工智能加速产品订单似乎已排到2024年。预计到2027年人工智能加速器市场价值将达到1500亿美元左右，未来前景似乎更繁荣。

由于与更传统的HPC安装相比，人们对AI服务器的兴趣激增，DDR5制造商不得不修改他们对新内存产品将渗透到市场的预期。目前预计DDR5的采用率到2024年第三季度才会与DDR4持平。

英伟达正受益于在其工具的支持下构建基础设施和产品堆栈，并押注人工智能作为下一个重大事件。

但是世界各地的预算往往都是有限制的，而且还存在机会成本的问题。以目前的价格投资于人工智能加速将使一些参与者在其他领域的投资受限，或者限制他们在追求不太安全的研究和开发项目时能够承担多大的风险。

英伟达正在获取巨额利润，我们已经看到大量投资涌入人工智能领域，其中英伟达团队的目标是在2023年出货55万个H100 GPU。

来源：集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展